以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料，正在快充电源、新能源汽车、光伏与数据中心等场景加速落地。

相比传统硅基器件，宽禁带半导体具有更高的击穿电压、更低的导通损耗与更快的工作频率，能够显著提升系统能量密度与转换效率。

尽管短期内硅基分立器件仍是市场主力，但第三代半导体的渗透率正稳步提升，二者将长期并存、互补发展。

戥瞑持续关注材料技术演进，在稳固硅基分立器件供应的同时，积极布局新材料产品方向。